東芝存儲器公司推出面向嵌入式應用的新型NAND閃存產品,以支持高速數據傳輸

winniewei 提交于 周五, 09/27/2019
東芝存儲器公司推出面向嵌入式應用的新型NAND閃存產品,以支持高速數據傳輸

新加入到產品陣容中的第二代串行接口NAND產品具有更高的性能和容量

全球存儲器解決方案領導者東芝存儲器公司(Toshiba Memory Corporation)今日宣布,該公司已推出其第二代NAND閃存產品系列,這些產品具有更高的性能和容量[1],適用于嵌入式應用,可支持高速數據傳輸。新推出的串行接口NAND產品與廣泛使用的串行外圍設備接口(SPI)兼容,適用于各種消費、工業和通信應用。樣品于即日起出貨,計劃從10月開始量產。

隨著器件在物聯網和通信應用中的體積逐漸縮小,對小型封裝的大容量閃存的需求則日益增長,而小型封裝能夠以低引腳數量處理高速數據傳輸。由于與廣泛使用的SPI兼容,這些串行接口NAND產品可以用作低引腳數、小型封裝和大容量的SLC NAND閃存產品。

為了能夠支持高速數據傳輸,新的第二代串行接口NAND產品提供高于現有第一代產品[1]的性能,包括133兆赫(MHz)的工作頻率和程序x4模式。此外,該系列還增加了8Gb(1千兆字節)[2]器件,以滿足對更大存儲容量的需求。

新產品概況

產品名稱

容量

輸入/輸出

電壓

封裝

量產時間

TC58CVG0S3HRAIJ

1Gb

?

1倍、2倍、4倍

?

?

3.3V

8引腳

WSON[3]

(6mm x 8mm)

2019年10月

TC58CYG0S3HRAIJ

1.8V

2019年10月

TC58CVG1S3HRAIJ

2Gb

?

3.3V

2019年10月

TC58CYG1S3HRAIJ

1.8V

2019年10月

TC58CVG2S0HRAIJ

4Gb

?

3.3V

2019年10月

TC58CYG2S0HRAIJ

1.8V

2019年10月

TH58CVG3S0HRAIJ

8Gb

3.3V

2019年12月

TH58CYG3S0HRAIJ

1.8V

2019年12月

主要特點

容量

1Gb, 2Gb, 4Gb, 8Gb

分頁大小

2KByte (1Gb, 2Gb),4KByte (4Gb, 8Gb)

接口

串行外圍設備接口,型號0,型號3

供電電壓

2.7至3.6V,1.7至1.95V

工作溫度范圍

-40?oC至85?oC

特性

? 133MHz工作頻率

? 程序 / 讀取4種模式

? 高速順序讀取功能

? ECC功能(開/關,位翻轉計數報告)

? 數據保護功能(能夠保護特定的塊)

?

? 參數頁面功能(能夠在器件上輸出詳細的信息)

注釋
[1] 與東芝存儲器公司現有的第一代串行接口NAND產品相比。東芝存儲器調查。
[2] 產品容量是根據產品內存儲芯片的容量而不是最終用戶可用于數據存儲的內存容量來確定的。由于開銷數據區域、格式、壞塊和其他限制,消費者可使用的容量會變少,并且還會因主機設備和應用程序而異。如需獲取詳細信息,請參閱適用的產品規格。
[3] WSON:超薄小外形無鉛封裝

* 本文提及的所有公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。

客戶垂詢:
東芝存儲器公司
存儲器銷售和營銷部
電話:+81-3-6478-2412
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原文版本可在businesswire.com上查閱:https://www.businesswire.com/news/home/20190925006002/en/

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